2)第289章 浸润式光刻机技术路线的独苗_千禧年半导体生存指南
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  为什么当年林本坚会在台积电和新芯之间选择新芯,因为新芯打算做光刻机,而台积电没有类似的计划。

  只有做光刻机,才有机会切换到浸润式光刻机这一技术路线上去。

  按照胡正明的说法,林本坚想走这一技术路线有接近二十年的时间,这是怎样的一种执念。

  周新说:“我同样看好这一技术路线,我和林叔在这方面达成了一致,甚至我们连浸润式光刻机要采用哪种介质都有默契。”

  胡正明说:“你支持他那就好,老实说不管是本坚还是老关,大家会来新芯,多少都是之前的职业生涯有点不得志。

  老关是因为被合伙人给赶走的,你应该比较清楚,本坚和你沟通的没那么多,他又比较沉默寡言,除了聊技术能多说两句外,平时很少聊自己的事情。

  我和本坚认识有大概十六年时间了,我还记得当时应该是八十年代年的事情,那时候开一个研讨会,本坚作为IBM的技术专家来做介绍,他的主题是未来芯片制造领域继续发展下去会遇到什么瓶颈。

  当时芯片制造的制程还是一千纳米,哦没错,是87年的时候,然后本坚当时就提出了如何突破这些瓶颈,里面就包括浸润法。当时的办法有很多,没有人注意到他的方法。

  有点讲远了,刚刚说本坚在IBM不得志,是因为他在IBM的时候做的是深紫外光,而那时候IBM的光学部门主要研究方向是X光,这也导致他其实并没有那么得志。

  不然他也不会在五十岁的时候申请IBM的内部退休创业。

  因此本坚一直认为芯片制程想要突破,光源是关键,现在的光源是深紫外光,而要想从深紫外光到极紫外光,浸润法是关键。”

  不得不说林本坚的技术嗅觉极其敏锐,极紫外光是芯片制程进入到10nm下的关键技术,而如果继续采取干式光刻机,极紫外光导致的问题无法解决。

  当新芯从周新到胡正明再到林本坚,这一条线的人都达成了共识要走浸润式光刻机路线时,新芯在光刻机领域的主要对手们都在朝157nm干式光刻机领域发起冲锋。

  当前90nm制程靠的是193nm波长的干式光刻机,这一波长的光源极限就是65nm,几乎不可能再往下了。

  业内在实验室中已经对此进行过了验证,要想继续往下,那就得换光源,产业界和学术界想了各种各样的办法,这些办法都指向了一个方向换光源,换波长更短的光源。

  可以很明确的说如果没有林本坚,ASML一定会继续往干式光刻机方向发展,因为他们在2000年的时候收购了SVG,一家专注于157nm波长光源的公司,是在这一技术路线上最接近商业化量产的公司。

  ASML在157nm干式光刻机上

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